芯片制造是*复杂的工艺，仅仅简单地走一遍流程就需要20多道，而真正的要制造一款手机芯片，需要几百道，甚至是几千道工序。这里只讲一讲主要的工序。芯片制造的主要流程为：清洗、预烘、涂胶、前烘、对准、曝光、显影、竖膜、刻蚀、去胶。

1、清洗

清洗的目的就是去除金属离子，确保晶圆无污染、无针孔、无缺陷。具体步骤如下：

1、使用强氧化剂清洗液，使晶圆表面的金属离子溶解在清洗液中；

2、用H+去除残留在晶圆表面的金属离子；

3、用去离子水清洗晶圆，彻底排除清洗液。

2、预烘

晶圆清洗完毕后，要进行烘干，确保无残留的清洗液，更有利于底胶的涂覆，并把晶圆温度保持在80℃左右。

3、涂底胶

为了增强光刻胶与晶圆的粘附性，需要涂一层底胶，底胶涂覆的时候需要环境温度保持在100℃左右。

4、光刻胶涂覆

光刻胶是感光树脂、增感剂和溶剂组成的混合液体，被紫外光、电子束、X射线照射后，溶解度会发生变化。

方法：晶圆在1000℃的高温中进行氧化，然后用涂胶机将光刻胶均匀地涂在晶圆表面。

5、前烘

前烘的目的是将光刻胶的溶剂蒸发掉，使光刻胶均匀地粘附在晶圆表面，而且烘干后的光刻胶涂层更薄。

6、对准

对准操作时，对精度要求*高，这**是对技术和设备的重大考验。

要求对准精度为*细的线宽1/10左右，同时精度随着芯片的制程变化。例如：5nm工艺的芯片对准精度就达到了1nm。

7、曝光

曝光就类似于照相机按快门，当紫外光对涂有光刻胶的晶圆照射时，光刻胶就发生了化学反应。

正胶曝光部分在显影液中被溶解，没有曝光的胶层留下；负胶的曝光部分在显影液中不溶解，而没有曝光的胶层却被溶解掉。

8、显影

被曝光后的晶圆放入显影液中，感光区的光刻胶就会溶解，这一步完成后，晶圆上的电路图就显现出来了。

9、竖模

显影工序后，形成了无光刻胶的显性图形和有光刻胶的隐性图形，这个图形组合可以作为下一步的模版。

10、刻蚀

刻蚀可以选择性地移除晶圆上的特定部分，并对边缘轮廓修整或表面清洁等。刻蚀工艺主要有两大类：湿法刻蚀和干法刻蚀。

刻蚀对于器件的电学性能十分重要。如果刻蚀过程中出现失误，将造成难以恢复的硅片报废。

11、去胶

以上工艺全部结束后，要把光刻胶去除，采用等离子、特殊溶剂、等方法。

这仅仅是一次操作，实际上制造芯片时，需要不断地重复以上操作。每加入一个层级就要进行一次光刻，*终形成一个多层的立体结构型的芯片。